1.1.- pues para este tema empezamos con una investigaciòn que
consistìa en EL DIODO SEMICONDUCTOR para ver que es y su funcionamiento .
Permite
la circulacion de la corriente electrica a travez de el en un
semiconductor. este termino generalmente se usa para referirse al diodo
semiconductor, el mas comun en la actualidad.- consta de una pieza de
cristal semiconductor conectadoa dos terminales electricos. El diodo de
vacio es un tubo de vacio con 2 electrodos: una lamina como un anodo y un
catodo. Consisten en un arreglo de electrodos empacados a un vidrio al
vacio. Los primeros modelos eran muy parecidos.
En los diodos, termina una corriente a traves del hilamiento, que se va a calentar indirectamente al càtodo.
Es un dispositivo de 2 terminales que permite el paso de la corriente en una sola direcciòn.
Es una sustancia que se comporta como conductor y tambièn como aislante.
simbolos de diodos
Un circuito rectificador es un circuito que permite obtener una tensión continua a partir de unatensión alterna.
Estos circuitos rectificadores se utilizan en la práctica totalidad de los dispositivoselectrónicos que se conectan a la red eléctrica y convierten la tensión alterna de alimentación,generalmente 220V, en tensión continua (3,6,12,10V etc.).
El comportamiento general de cualquiercircuito rectificador se muestra en la Figura 4-4.A continuación se presenta un breve resumen de las configuraciones de circuito rectificador quevan a utilizarse en el desarrollo de la práctica, haciendo especial hincapié en los parámetros quedeterminan la calidad de la señal rectificada.
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente
a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
- Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
- Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector, de extensión mucho mayor.
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras
"P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las
diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría
de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula
cuando el dispositivo está en funcionamiento activ: Transistores NPN y PNP.
El funcionamiento de los
transistores se basa en la posibilidad decontrolar la corriente que fluye entre
Colector y Emisor a través de laaplicación de una corriente en la base B, lo
cual se obtiene polarizandodirectamente la unión base-emisor e inversamente la
unión base-colector.En ausencia de tensiones de polarización, las barreras de
potencialexistentes se muestran en las figuras.
está polarizado directamente, su barrera de
potencial se reduce y de estaforma favorece un desplazamiento de cargas
positivas desde el emisor hacia la base.Consideremos ahora la situación en
la cual el circuito colector-base estácerrado y el circuito base-emisor está
abierto (figura B13.3c). Debido ala polarización inversa, la barrera de
potencial del diodo colector-baseaumenta; de esta forma sólo una pequeña
corriente de huecos positivosfluye desde la base hacia el colector y al mismo
tiempo una corriente deelectrones fluye desde el colector hacia la
base.Supongamos ahora que tanto el circuito base-emisor como el
circuitocolector-base se cierren simultáneamente. El espesor dela base es
muy delgado respecto a la distancia media que puedenrecorrer los huecos
positivos procedentes del emisor; una parteconsiderable de estas cargas puede
atravesarla y llegar a la unióncolector-base, donde serán atraídas por el
potencial negativo delcolector, creando así una corriente
emisor-colector.Un razonamiento análogo lleva a resultados similares en el caso
de untransistor NPN
No hay comentarios:
Publicar un comentario